基础信息Product information

产品名称：美国吉时利KEITHLEY2651A数字源表

产品型号：

更新时间：2024-04-07

产品简介：

中国电子行业仪器优质供应商——坚融实业JETYOO INDUSTRIAL，Support、销售Sale、服务Service，3S公司，提供美国吉时利KEITHLEY2651A数字源表解决方案、测试测量技术改进、技术培训、采购管理、售后维修服务。

产品特性Product characteristics

专业仪器设备与测试方案供应商——上海坚融实业有限公司JETYOO INDUSTRIAL & 坚友（上海）测量仪器有限公司JETYOO INSTRUMENTS，为原安捷伦Agilent【现是德KEYSIGHT】品牌技术经理-坚JET与吉时利KEITHLEY【现泰克Tektronix】品牌产品经理-融YOO于2011年共同创办，专注工业测试领域十六年，志在破旧立新！*进口仪器设备大多数厂家仅在国内设销售点，但技术支持薄弱甚至没有，而代理经销商也只做商务，不做售前技术支持/测试方案和售后使用培训/维修校准的空白。我们的技术型销售均为本科以上学历，且均有10年以上测试行业经验，以我们*进*的经营理念，与客户互惠互利合作双赢，重在协助用户采购与技术工程师的工作，提供较有竞争力的供应链管理与售前售后技术支持。坚融实业——一家致力于为祖国用户提供美国吉时利KEITHLEY2651A数字源表仪器设备、测试方案、技术培训、维修计量全面服务的仪器设备综合服务商。

吉时利KEITHLEY2600B系列源表研究领域：
各种器件的I-V功能测试和特征分析，包括：
离散和无源元件
–两抽头器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻（MOV）、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻
–三抽头器件——小信号双极结型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）等等
简单IC器件——光学器件、驱动器、开关、传感器
集成器件——小规模集成（SSI）和大规模集成（LSI）
–模拟IC
–射频集成电路（RFIC）
–集成电路（ASIC）
–片上系统（SoC）器件
光电器件，例如发光二极管（LED）、激光二极管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、显示器
圆片级可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、电迁移
太阳能电池
电池
暂态抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二极管、激光二极管模块、LED、光电检测器
电路保护器件:
TVS、MOV、熔丝
安全气囊
连接器、开关、继电器
碳纳米管
半导体纳米线
碳纳米管 FET
纳米传感器和阵列
单电子晶体管
分子电子
有机电子
基本运放电路
二极管和电路
晶体管电路

测试：
漏流
低压、电阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔离与轨迹电阻
温度系数
正向电压、反向击穿、漏电流
直流参数测试
直流电源
HIPOT
介质耐受性

双极结型晶体管设计
结型场效应晶体管设计
金属氧化物半导体场效应晶体管设计
太阳能电池和 LED 设计
高电子迁移率晶体管设计
复合半导体器件设计

分析纳米材料和实验器件
碳纳米管的电测量标准
测量碳纳米管电气特性
提高纳米电子和分子电子器件的低电流测量
在低功率和低压应用中实现准确、可靠的电阻测量
纳米级器件和材料的电气测量
提高超高电阻和电阻率测量的可重复性
一种微分电导的改进测量方法
纳米技术准确电气测量的技术
纳米级材料的电气测量
降低外部误差源影响的仪器技术
迎接65nm节点的测量挑战
测量半导体材料的高电阻率和霍尔电压
用微微微安量程测量电流
栅极电介质电容电压特性分析
评估氧化层的可靠性

的半导体器件结构设计和试验低电阻、低功耗半导体器
输出极低电流和测量极低电压分析现代材料、半导体和纳米电子元件的电阻
低阻测量(低至10nΩ)分析导通电阻参数、互连和低功率半导体。
用于*进CMOS技术的脉冲可靠性测试
高K栅极电介质电荷俘获行为的脉冲特性分析
用6线欧姆测量技术进行更高准确度的电阻测量
配置分立电阻器验证测试系统
电信激光二极管模块的高吞吐率直流生产测试
多台数字源表的触发器同步
高亮度、可见光LED的生产测试
OLED显示器的直流生产测试
在运行中第5次测量用于偏置温度不稳定特性分析
数字源表的缓冲器以及如何用这两个缓冲器获取多达5000点数据
连接器的生产测试方案
射频功率晶体管的直流电气特性分析

1. MOS 电容器
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
掺杂类型 – 氧化层厚度 – 平带电压 – 阈值电压 – 衬底掺杂 – zui大耗尽层宽度 – 反型层到平衡的灵敏度：电压扫描率和方向 – 光效应和温度效应。
I-V 曲线分析：
电荷建立 (测量电压 - 时间图，用低电流源)； 氧化层电容测定； 与 C-V 曲线比较。
C-V 曲线 (准静态) 结合 C-V 曲线：
表面电位 Ψs 与施加电压的关系 – Si (100) 的表面态密度 Dit = f (Ψs) 与 Si (111) 的相比：方向和后处理退火的影响。
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
移动氧化层电荷密度 (偏压温度应力：200°C，10 分钟，±10V)

2. 双极结型晶体管
    主题
  正向共发射极输出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 测量。
  正向 CE 输入特性：Ib = f (Vbe) 对于几个 Vce 正值。
  正向 Gummel 曲线： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
  确定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
  Βf 与 log(Ic) 的关系： 低注入和高注入的效果。
  非理想特性：尔利电压。
  反向 CE 输出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反向 CE 传输特性：Ib=f(Vbe) 对于几个Vce负值。
  反向 Gummel 曲线： logIe, logIb=f(Vbc>0).
  确定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
  Βr 与 log(Ie) 的关系： 低注入和高注入的效果。
  Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 确定，对于给定的 Ib 电流。
  Ebers Moll 模型构建并且与实验做比较。
  BE 和 CE 结的 C-V 特性分析。基区掺杂浓缩。

3. 亚微米集成 MOSFET
输出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增强或耗尽)，沟道长度调制参数(λ) 在饱和区域 (VDS<–3V) 有效沟道长度与 VDS 的关系。
传输特性：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
衬底偏压特性：
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亚阈值特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
衬底电流特性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用长沟道和短沟道公式的输出特性模型：比较实验结果。

美国吉时利KEITHLEY2600数字源表进行VCSEL测试
美国吉时利KEITHLEY2600测量光伏电池的I-V特性
美国吉时利KEITHLEY2400系列数字源表的SCPI应用转换为2600系列源表的脚本应用
美国吉时利KEITHLEY2600系列数字源表进行IDDQ测试和待机电流测试
使用两台美国吉时利KEITHLEY2600型数字源表输出2A电流
美国吉时利KEITHLEY2600或其它非脉冲模式源表产生电流 (或电压) 脉冲
美国吉时利KEITHLEY2600系列数字源表提升多引脚器件的生产量
美国吉时利KEITHLEY2602数字源表创建可扩缩、多引脚、多功能IC测试系统
美国吉时利KEITHLEY2602数字源表对激光二极管模块和VCSEL进行高吞吐率直流生产测试
美国吉时利KEITHLEY2600系列数字源表进行二极管生产测试
美国吉时利KEITHLEY2600系列数字源表进行高亮度、可见光LED的生产测试
美国吉时利KEITHLEY2600系列数字源表进行IDDQ测试和待机电流测试
美国吉时利KEITHLEY2600 数字源表验证变阻器
美国吉时利KEITHLEY2600系列源表进行电池放电/充电周期
美国吉时利KEITHLEY2600配置电阻网络的生产测试系统
美国吉时利KEITHLEY2651 2kW 脉冲源表进行大电流变阻器的生产测试
美国吉时利KEITHLEY2600数字源表进行热敏电阻的生产测试

美国吉时利KEITHLEY2651A数字源表概述
2651A型高功率系统数字源表仪器的脉冲功率2000W，200W直流电源，PA和UV分辨率高达50A @40V

型号2657A是一种高电压，高功率，低电流源测量单元（SMU）仪器，可提供*的力量，精度，速度，灵活性和易于使用在R＆D，生产测试，以提高生产力和可靠性的环境。型号2657A是专为表征和测试高电压电子和功率半导体器件，如二极管，场效应晶体管和IGBT，以及其他组件和材料中，需要高电压，响应速度快，和精确的测量的电压和电流的。型号2657A加入吉时利2600A系列的功率半导体器件表征和测试解决方案系列，提供zui高的功率和低电流性能在业界。这些自定义配置的解决方案支持业界zui强大的参数化特征的软件平台，与您共同成长，为您的应用程序的发展。

型号2657A一样，每个2600A系列数字源表仪器，提供了一个具有高度灵活性，四象限电压和电流源/负载，再加上精密电压和电流表。它可以被用来作为
半导体特性分析仪
 V或I波形发生器
 V或电流脉冲发生器
精密电源V和I回读
真正的电流源
数字万用表（DCV，DCI，欧姆，功率6½位分辨率）
精密电子负载

供选择的配件
7709-308A 型DB50公连接器套件（焊杯），带外壳
CA-180-3A型TSP-Link电缆